КАТЕГОРИЯ СЛУШАТЕЛЕЙ
Модуль может быть использован в составе программ бакалавриата и магистратуры по направлениям «Конструирование и технология электронных средств» и «Электроника и наноэлектроника» как дисциплина по выбору студента или факультатив, программ дополнительного образования повышения квалификации в области технологии производства наноразмерных полупроводниковых приборов и интегральных схем, а также как самостоятельный курс кратковременного повышения квалификации.
УЧЕБНО-ТЕМАТИЧЕСКИЙ ПЛАН
Объем программы (вариативный) max:
Очная, очно-заочная, дистанционная, гибридная (регулируется объемом выбранных часов
min – 5 чел
max – 15 чел
УЧЕБНОЕ ОБОРУДОВАНИЕ
Знать
• зависимости кинетических факторов от параметров процесса химико-механической планаризации
• зависимости параметров процесса химико-механической планаризации от характеристик оборудования
• классификация методов математического моделирования и оптимизации процессов химико-механической планаризации
• классификация методов статистического контроля параметров технологических процессов химико-механической планаризации
• классификация процессов химико-механической планаризации, применяемых в технологии производства изделий микро- и наноэлектроники
• классификация процессов химико-механической планаризации, применяемых в маршруте производства изделий микро- и наноэлектроники
• классификация расходных материалов процессов химико-механической планаризации
• классификация химических реагентов для очистки поверхности кремниевых пластин после процесса химико-механической планаризации
• классификация, типы и назначение приборов и оборудования для измерения толщины тонких пленок
• конструктивные особенности оснастки и оборудования для процессов химико-механической планаризации
• мматематические модели удаления материала в процессе химико-механической планаризации
• методика математического расчета значений параметров, полученных по результатам обработки выходных параметров
• методы визуализации результатов измерений, полученных после процесса химико-механической планаризации
• методы измерения характеристик пленок до и после процесса химико-механической планаризации.
Уметь
• задавать рабочие параметры и режимы технологического процесса химико-механической планаризации
• искать и выбирать расходные материалы и оборудование для осуществления операций химико-механической планаризации
• контролировать и анализировать входные и выходные параметры процесса химико-механической планаризации
• моделировать результаты процесса химико-механической планаризации
• определять методы контроля и контролируемые параметры процесса химико-механической планаризации
• оценивать и интерпретировать результаты процесса химико-механической планаризации слоев кремниевых пластин.
Иметь практический опыт
• разработка режимов процесса химико-механической полировки.
Персональная компетенция 2:
Оценивать эффективность применения новых расходных материалов и оборудования для процессов химико-механической планаризации в маршруте производства изделий микро- и наноэлектроники в соответствии с техническими требованиями.
Знать
• методы контроля состояния оборудования для проведения процессов химико-механической планаризации
• методы очистки поверхности кремниевых пластин после процесса химико-механической планаризации
• методы статистической обработки результатов измерений, полученных после процесса химико-механической планаризации
• нормы расходования материалов в технологических процессах химико-механической планаризации
• перечень и назначение материалов слоя, обрабатываемого в процессе химико-механической планаризации
• принцип работы и технические характеристики оборудования для процессов химико-механической планаризации
• принципы контактного взаимодействия в системе «полировальная подушка-суспензия-пластина» для процессов химико-механической планаризации
• свойства и характеристики расходных материалов процесса химико-механической планаризации
• свойства химических реагентов для очистки поверхности кремниевых пластин после процесса химико-механической планаризации
• содержание и назначение базовых технологических процессов производства изделий микро- и наноэлектроники
• требования к оформлению отчетной документации по экспериментальной работе
• требования к параметрам исходных кремниевых пластин для процесса химико-механической планаризации и их подготовке
• устройство и принцип работы систем доставки химических реагентов для очистки поверхности кремниевых пластин после процесса химико-механической планаризации
• устройство и принцип работы систем доставки, подготовки, фильтрации и утилизации суспензии
• факторы, влияющие на взаимодействие полировальной подушки с кремниевой пластиной
• физические, кинетические параметры и их влияние на процесс химико-механической планаризации
• химические реакции процесса химико-механической планаризации слоёв в маршруте производства изделий микро- и наноэлектроники
• этапы планирования экспериментальной работы и их содержание
• этапы технологического процесса производства изделий микро- и наноэлектроники.
Уметь
• рассчитывать потребление материалов для обеспечения технологического процесса химико-механической планаризации.
Иметь практический опыт
• опыт проведения экспериментальных работ по подбору и освоению новых расходных материалов и оборудования для процессов химико-механической полировки
• составлять план экспериментальной работы и отчетную документацию по итогам ее проведения
• формировать требования к расходным материалам и оборудованию процесса химико-механической планаризации
Форма обучения | Количество часов | Продолжительность | Стоимость занятия(руб.) | Стоимость курса(руб.) | Скидки(%) | Цена со скидкой |
---|---|---|---|---|---|---|
«Ключевые процессы изготовления полупроводниковых структур: формирование фоторезистивной маски и химико-механическая полировка поверхности пластин» | Объем программы (вариативный) max: 58 часов – лекции и практические занятия 32 часа – изучение дополнительных материалов, выполнение заданий, консультации с преподавателями | вариативный | От 50 000 – 1 чел |
Адрес: Зеленоград, ул. Академика Валиева, д.6, стр.1
Телефон: +7 (495) 229 70 64
E-mail: info@neo-niime.ru