Производство изделий микроэлектроники

Количество часов: 256 ак. часов.

Форма обучения: очная, в том числе с использованием электронных и дистанционных образовательных технологий.

Количество слушателей в группе для дистанционного обучения: 6-12.

Требования к образованию

К освоению программы допускаются лица, имеющие или получающие высшее (бакалавриат, магистратура) и (или) среднее профессиональное образование.

Категория слушателей

Программа предназначена для специалистов в области производства изделий наноэлектроники с применением новейших материалов и высокотехнологичного оборудования.

Содержание программы

Модуль 1. Процессы жидкостной химической обработки кремниевых пластин в технологии производства ИС с субмикронными проектными нормами на пластинах диаметром 200 мм.

Модуль 2. Ключевые процессы изготовления полупроводниковых структур: формирование фоторезистивной маски и химико-механическая полировка поверхности пластин.

Модуль 3. Эксплуатация инженерных систем производства наноразмерных полупроводниковых приборов и интегральных схем.

Модуль 4. Разработка процессов фотолитографии при производстве наноразмерных полупроводниковых приборов и интегральных схем.

Планируемые результаты обучения

В результате освоения программы слушатель будет:

Знать

·         Технику безопасности и требования охраны труда при проведении ЖХО;

·         Процессы ЖХО в маршруте изготовления ИМС;

·         Источники и природу загрязнения кремниевых пластин;

·         Методы подготовки поверхности кремниевых пластин;

·         Стратегии проведения жидкостных очисток пластин и удаления загрязнений;

·         Процессы жидкостного травления кремниевых пластин;

·         Правила удаления полимерных остатков;

·         Перечень коррозионных циклов;

·         Способы удаление микрочастиц и процессы очистки без использования химических реактивов;

·         Требования к жидкостным химическим реактивам при производстве ИМС с субмикронными проектными нормами;

·         Виды и назначение контрольно-измерительной аппаратуры для контроля качества поверхности кремниевых пластин для жидкостных химических процессов;

·         Виды и назначение технологического оборудования для проведения процессов жидкостной химической обработки пластин в технологии микро- и наноэлектроники;

·         Основы технологии химико-механической планаризации;

·         Виды и назначение технологического оборудования для процессов ХМП;

·         Методы отмывки после процесса ХМП;

·         Системы доставки суспензии;

·         Основные технологические среды;

·         Влияния параметров ТС на технологию и приборы;

·         Общие сведения о физических принципах создания ТС;

·         Основные методы создания ТС;

·         Основные тенденции развития направления технологий для параметров ТС;

·         Способы доставки ТС к производственному оборудованию;

·         Основные технологические операции процесса фотолитографии;

·         Виды и назначение технологического оборудования для процессов фотолитографии.

Уметь:

·         Выстраивать стратегии проведения жидкостных очисток пластин и удаления загрязнений;

·         Контролировать качество процессов жидкостного травления кремниевых пластин;

·         Осуществлять визуальный контроль процессов жидкостного травления и поверхностей пластин;

·         Выбирать материалы для ХМП в современных маршрутах изготовления ИС;

·         Выставлять параметры ТС в соответствии с динамикой изменения требований;

·         Производить контроль качества технологических сред;

·         Выбирать оборудование для экспонирования ФРМ;

·         Выбирать оборудование для нанесения и проявления ФРМ.

Документ об обучении

Диплом о профессиональной переподготовке/Сертификат внутреннего образца