«Ключевые процессы изготовления полупроводниковых структур: формирование фоторезистивной маски и химико-механическая полировка поверхности пластин»

Персональная компетенция 1:
Разрабатывать технологические процессы химико-механической планаризации функциональных слоев кремниевых пластин в маршруте производства изделий микро- и наноэлектроники в соответствии с заданными характеристиками.

Знать

• зависимости кинетических факторов от параметров процесса химико-механической планаризации

• зависимости параметров процесса химико-механической планаризации от характеристик оборудования

• классификация методов математического моделирования и оптимизации процессов химико-механической планаризации

• классификация методов статистического контроля параметров технологических процессов химико-механической планаризации

• классификация процессов химико-механической планаризации, применяемых в технологии производства изделий микро- и наноэлектроники

• классификация процессов химико-механической планаризации, применяемых в маршруте производства изделий микро- и наноэлектроники

• классификация расходных материалов процессов химико-механической планаризации

• классификация химических реагентов для очистки поверхности кремниевых пластин после процесса химико-механической планаризации

• классификация, типы и назначение приборов и оборудования для измерения толщины тонких пленок

• конструктивные особенности оснастки и оборудования для процессов химико-механической планаризации

• мматематические модели удаления материала в процессе химико-механической планаризации

• методика математического расчета значений параметров, полученных по результатам обработки выходных параметров

• методы визуализации результатов измерений, полученных после процесса химико-механической планаризации

• методы измерения характеристик пленок до и после процесса химико-механической планаризации.

Уметь

• задавать рабочие параметры и режимы технологического процесса химико-механической планаризации

• искать и выбирать расходные материалы и оборудование для осуществления операций химико-механической планаризации

• контролировать и анализировать входные и выходные параметры процесса химико-механической планаризации

• моделировать результаты процесса химико-механической планаризации

• определять методы контроля и контролируемые параметры процесса химико-механической планаризации

• оценивать и интерпретировать результаты процесса химико-механической планаризации слоев кремниевых пластин.

Иметь практический опыт

• разработка режимов процесса химико-механической полировки.

Персональная компетенция 2: 

Оценивать эффективность применения новых расходных материалов и оборудования для процессов химико-механической планаризации в маршруте производства изделий микро- и наноэлектроники в соответствии с техническими требованиями.

Знать

• методы контроля состояния оборудования для проведения процессов химико-механической планаризации

• методы очистки поверхности кремниевых пластин после процесса химико-механической планаризации

• методы статистической обработки результатов измерений, полученных после процесса химико-механической планаризации

• нормы расходования материалов в технологических процессах химико-механической планаризации

• перечень и назначение материалов слоя, обрабатываемого в процессе химико-механической планаризации

• принцип работы и технические характеристики оборудования для процессов химико-механической планаризации

• принципы контактного взаимодействия в системе «полировальная подушка-суспензия-пластина» для процессов химико-механической планаризации

• свойства и характеристики расходных материалов процесса химико-механической планаризации

• свойства химических реагентов для очистки поверхности кремниевых пластин после процесса химико-механической планаризации

• содержание и назначение базовых технологических процессов производства изделий микро- и наноэлектроники

• требования к оформлению отчетной документации по экспериментальной работе

• требования к параметрам исходных кремниевых пластин для процесса химико-механической планаризации и их подготовке

• устройство и принцип работы систем доставки химических реагентов для очистки поверхности кремниевых пластин после процесса химико-механической планаризации

• устройство и принцип работы систем доставки, подготовки, фильтрации и утилизации суспензии

• факторы, влияющие на взаимодействие полировальной подушки с кремниевой пластиной

• физические, кинетические параметры и их влияние на процесс химико-механической планаризации

• химические реакции процесса химико-механической планаризации слоёв в маршруте производства изделий микро- и наноэлектроники

• этапы планирования экспериментальной работы и их содержание

• этапы технологического процесса производства изделий микро- и наноэлектроники.

Уметь

 • рассчитывать потребление материалов для обеспечения технологического процесса химико-механической планаризации.

Иметь практический опыт

 • опыт проведения экспериментальных работ по подбору и освоению новых расходных материалов и оборудования для процессов химико-механической полировки

• составлять план экспериментальной работы и отчетную документацию по итогам ее проведения

• формировать требования к расходным материалам и оборудованию процесса химико-механической планаризации